Hola Kid_2049, se refiere a la correccion de errores de un bit en la memoria, o mejor dicho, detecta un error de un bit y lo puede llegar a corregir....
Te dejo una explicacion sobre memorias mas detallada... que encontre por ahi... es algo biejito, pero se explica es mejor... ;)
=========================================== Explicación detallada sobre Tipos de Memoria Paridad y No-Paridad
La principal diferencia entre módulos de memoria paridad y no-paridad es que la memoria paridad tiene la habilidad de detectar errores de un bit y parar el sistema mientras que la memoria no-paridad no provee detección de errores.
Error Checking and Correcting (ECC) (Detección y Corrección de errores)
La memoria ECC es una memoria más avanzada que puede automáticamente detectar y corregir errores de un bit sin parar el sistema. También puede para el sistema cuando más de un error es detectado. Sin embargo, la memoria ECC requiere más recursos del sistemas para almacenar datos que la memoria de paridad, causando por lo tanto alguna degradación de performance en el subsistema de memoria.
Dynamic Random Access (Dram) (acceso aleatorio dinámico)
DRAM es un tipo de memoria que requiere ser refrescada constantemente para mantener las cargas que mantienen los datos. Este "refresco" es la principal causa de las demoras entre accesos. Este tipo de memoria puede ser considerado obsoleto.
Fast Page Mode Dram (FPM) Dram (dram de modo de página rápida)
La memoria de página rápida es similar a la memoria DRAM pero permite sucesivos accesos a la memoria con mínimas demoras entre ellos. El acceso típico está cronometrado a 5-3-3-3 para un ancho de banda máximo de 100MB/seg en un sistema de 32-bit y 200MB/seg en un sistema de 64-bit. Este tipo de memoria también puede ser considerado obsoleto.
Extended-Data Output (EDO) Dram (Dram de salida extendida de datos)
EDO DRAM también llamado modo dram de hyper-página permite al tiempo del ciclo de la memoria ser acortado condensando el tiempo CAS para obtener mas salida de datos en una secuencia dada de acceso. En ciclos de CPU esto da 5-2-2-2. El incremento de la performance de la computadora es ganado por el uso de esta memoria porque la memoria EDO DRAM es cerca de 15% más rápida que la memoria FPM DRAM. La máxima tasa de transferencia (ancho de banda) de la EDO DRAM es cerca de 264meg/seg. Este tipo de memoria será considerado casi obsoleto para el final de 1998.
Burst EDO (BEDO) Dram (edo dram por ráfagas)
BEDO incorpora algunas características de modo ráfaga en la EDO DRAM para mayor incremento de la performance. BEDO RAM lee datos en una ráfaga, que significa que cuando la dirección ha sido dada, los próximos tres accesos son ejecutados en sólo un ciclo de reloj cada uno, entonces, los datos son leídos en una ráfaga de 5-1-1-1. Este tipo de memoria es más una transición entre la memoria EDO DRAM y la memoria SDRAM y nunca ha sido claro que la BEDO DRAM estará en el mercado por un largo período de tiempo..
Synchronous DRAM (SDRAM) (dram sincrónica)
SDRAM es diferente de la DRAM ordinaria por el uso de una interfase sincrónica. En la memoria DRAM estándar una dirección es reconocida sólo cuando líneas RAS o CAS son habilitadas mientras que en la memoria SDRAM las direcciones son cerradas en transiciones de reloj lo que da una buena mejora a las tasas de transferencia de datos. Porque la SDRAM genera direcciones secuenciales internamente utiliza un modo ráfaga para sacar los datos desde filas consecutivas así como también usa un pipeline para permitir accesos aleatorios en una fila en cada uno de los ciclos de reloj. La SDRAM se accede a 5-1-1-1 haciéndola tan rápida como la BEDO RAM pero puede manejar velocidades de bus de más de 100 MHz. La mayor tasa de transferencia (ancho de banda) de la memoria SDRAM es cerca de 528meg/seg.
DDR SDRAM (también llamada SDRAM II)
DDR DRAM es una variante de la memoria SDRAM. The la principal diferencia entre SDRAM y DDR SDRAM es que la DDR SDRAM tiene la posibilidad de usar tanto los bordes de subida como de bajada del ciclo de reloj para transferir datos lo cual efectivamente duplica su performance de salida de datos. La tasa máxima de transferencia de la DDR SDRAM (ancho de banda) es de más de 1gig/seg.
Rambus DRAM (RDRAM)
RDRAM es un concepto totalmente nuevo usando un nuevo empaquetamiento de chip con una baja cantidad de pines, alta velocidad, y arquitectura sincrónica. Porque cada aspecto de su estructura interna como el tamaño del camino, capacitancia del pin, el cambio de voltaje han sido rigurosamente redefinidos este tipo de memoria puede ofrecer performances muy altas. Esta memoria es accedida tanto en el borde ascendiente como en el descendiente del ciclo de reloj. Una memoria RAMBUS de canal simple llega a una performance cerca de 3 veces mayor que los módulos de memoria SDRAM de 64-bits 100mhz. Por ejemplos la memoria RDRAM de canal simple tiene un ancho de banda de 1.6 GByte/seg. La principal ventaja con Rambus los controladores pueden ser diseñados para usar 2 canales Rambus (y hasta 4 canales!) en paralelo, produciendo un total de 3.2 GByte/seg de ancho de banda mientras que un sistema de memoria RAMBUS de 4 canales, puede irse hasta 6.4 GByte/seg!
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Tambien te dejo la dire Web... para mas datos sobre el tema...
http://www.active-hardware.com/spani...o/upmemory.htm
Bueno espero que esto te sea de ayuda.... :P
Saludos...
[consulta] memorias ddr
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